Àû¿Ü¼± °üÃø±â±â(Infrared Instrument)
Çؼ³ÀÚ: ¹Ú¼öÁ¾ (°æÈñ´ëÇб³ ¿ìÁÖ°úÇаú, 2006.04.24)
ÇöûÅ©ÀÇ º¹»ç ¹ýÄ¢¿¡ ÀÇÇϸé, ¸ðµç ¹°Ã¼´Â ¿ÂµµÀÇ ÇÔ¼ö·Î º¹»ç ¹æÃâÀ» ÇÑ´Ù. Ç¥¸é ¿Âµµ°¡ ¾à 6000KÀΠžçÀº ´ëºÎºÐÀÇ ¿¡³ÊÁö¸¦ 0.5 ¥ìm ÆÄÀå ´ë¿¡¼ ¹æÃâÇϱ⠶§¹®¿¡ Àΰ£ÀÇ ´«Àº ÀÌ ÆÄÀå ´ë¸¦ °¨ÁöÇÒ ¼ö ÀÖµµ·Ï ÁøÈÇÏ¿´´Ù. ±×·±µ¥, ž纸´Ù ¿Âµµ°¡ ÈξÀ ³·Àº ¹°Ã¼´Â ´«À¸·Î º¼ ¼ö ¾ø´Â ±ä ÆÄÀåÀÇ ºûÀ» ¹æÃâÇÑ´Ù. ÀÌ·¯ÇÑ Àû¿Ü¼±(Infrared ¶Ç´Â IR)ÀÇ Á¸Àç´Â 1800³â ¿µ±¹ÀÇ Ãµ¹®ÇÐÀÚ William HerschelÀÌ ¹ß°ßÇßÁö¸¸, ÀûÀýÇÑ Àû¿Ü¼± °ËÃâ±â°¡ ¾ø¾ú±â¿¡ º»°ÝÀûÀÎ Àû¿Ü¼± °üÃøÀº °íü ¹°¸®°¡ ¹ß´ÞÇÑ 20¼¼±â¿¡ °¡´ÉÇÏ°Ô µÇ¾ú´Ù.
ÀϹÝÀûÀ¸·Î Àû¿Ü¼± ¿µ»óÀåºñ´Â ¿ÜºÎÀÇ Á¶¸íÀåÄ¡°¡ ¾ø¾îµµ ÀÚü ¿Âµµ¿¡¼ ¹æÃâµÇ´Â º¹»ç¿¡³ÊÁö¸¦ °¨ÁöÇÒ ¼ö ÀÖ¾î¼ »ê¾÷ ¹× ±º»ç ¸ñÀûÀ¸·Î Áß¿äÇÏ°Ô »ç¿ëµÇ°í ÀÖ´Ù. »ê¾÷¿ë Àû¿Ü¼± ¿µ»ó Àåºñ´Â »ç¿ë ¸ñÀû¿¡ µû¶ó NIR (0.75-1.4 ¥ìm), SWIR (1.4-3 ¥ìm), MWIR (3-8 ¥ìm), LWIR (8-15 ¥ìm), FIR (15-1000 ¥ìm) ¹êµå·Î ±¸ºÐÇÑ´Ù. ±×·¯³ª õ¹®°üÃø¿ë Àû¿Ü¼± ±â±â´Â °ËÃâ±âÀÇ Æ¯¼º°ú »ç¿ë ȯ°æ¿¡ µû¶ó¼ ±ÙÀû¿Ü¼±(near-IR, 1-5 ¥ìm), ÁßÀû¿Ü¼±(mid-IR, 5-30 ¥ìm), ¿øÀû¿Ü¼±(far-IR, 30-300 ¥ìm)À¸·Î ±¸ºÐÇÑ´Ù.
Àû¿Ü¼±(Infrared ¶Ç´Â IR) ÆÄÀå´ë´Â °¡½Ã±¤¼±°ú ÀüÆÄ (ƯÈ÷ ±ØÃÊ´ÜÆÄ) ÆÄÀå´ë »çÀÌ¿¡ À§Ä¡ÇÑ´Ù. ÀüÆÄ ¼ö½Å±â´Â ÀüÀÚ±âÆÄÀÇ Æĵ¿(wave)À» ÃøÁ¤ÇÏÁö¸¸ Àû¿Ü¼± °ËÃâ±â´Â ±¤ÀÚ(photon)ÀÇ ¼ö¸¦ ¼¼´Â ¿ø¸®·Î ÀÛµ¿ÇϹǷΠÀû¿Ü¼± °üÃø±â±âÀÇ ±¤ÇÐÀåÄ¡´Â °¡½Ã±¤¼±À» °üÃøÇÏ´Â °üÃø±â±âÀÇ ±¤Çаè¿Í À¯»çÇÏ´Ù. ±×·¯³ª Àû¿Ü¼±Àº °¡½Ã±¤¼±º¸´Ù ±¤ÀÚÀÇ ¿¡³ÊÁö°¡ À۱⠶§¹®¿¡ Àû¿Ü¼± °üÃø±â±â¸¦ Á¦ÀÛÇϱâÀ§Çؼ´Â (1) Ư¼öÇÑ Àû¿Ü¼± °ËÃâ±â¸¦ »ç¿ëÇؾßÇÏ°í, (2)¿ÀâÀ½°ú ¿º¹»ç¸¦ ÁÙÀ̱â À§ÇØ ±â±âÀÇ ±¤Çа踦 Æ÷ÇÔÇÑ ½Ã½ºÅÛ Àüü¸¦ ³Ã°¢ÇØ¾ß ÇÑ´Ù.
À̸§ |
T (K) |
Eg (eV) |
¥ëc (¥ìm) |
Si (½Ç¸®ÄÜ) |
295 |
1.12 |
1.11 |
Ge (°Ô¸£¸¶´½) |
295 |
0.67 |
1.85 |
PbS (Ȳȳ³) |
295 |
0.42 |
2.95 |
InSb (Àεã¾ÈƼ¸ó) |
295 |
0.18 |
6.9 |
InSb (Àεã¾ÈƼ¸ó) |
77 |
0.23 |
5.4 |
HgxCd1-xTe (MCT, x=0.554) |
77 |
0.5 |
2.5 |
Àû¿Ü¼± °ËÃâ±âÀÇ ´ëºÎºÐÀ» Â÷ÁöÇÏ´Â ¹ÝµµÃ¼´Â ½Ç¸®ÄÜ ¶Ç´Â °Ô¸£¸¶´½°ú °°Àº 4Á· ¿ø¼ÒÀÇ Å©¸®½ºÅ» °ÝÀÚ(crystal lattice) ±¸Á¶·Î ¸¸µç´Ù. ºÒ¼ø¹°(inpurity)ÀÌ ¼¯ÀÌÁö ¾ÊÀº ¼ø¼ö °áÁ¤À» Áø¼º¹ÝµµÃ¼(intrinsic semiconductor)¶ó°í ÇÑ´Ù. ¾ÈÁ¤µÈ »óÅ¿¡¼´Â ¸ðµç ÀüÀÚ°¡ °ÝÀÚ¿¡ ¼Ó¹ÚµÇ¾î ÀÖ´Â ¿øÀÚ°¡ÀüÀÚ(valence electron)·Î Á¸ÀçÇÏÁö¸¸, ¿ÜºÎ¿¡¼ ÀÔ»çÇÑ ±¤ÀÚ ¿¡³ÊÁö¸¦ Èí¼öÇÏ¿© ÀÚÀ¯ÀüÀÚ°¡ µÇ¸é ÀÌ °áÁ¤Ã¼´Â ¼ø°£ÀûÀ¸·Î µµÃ¼ÀÇ ¼ºÁúÀ» °®°Ô µÈ´Ù. ÀÌ ¶§ ¹ÝµµÃ¼¿¡ Àü¾ÐÀ» °É°í È帣´Â ÀüÇÏÀÇ ¾çÀ» ÃøÁ¤Çϸé Èí¼öµÈ ±¤ÀÚÀÇ ¼ö¸¦ ÃøÁ¤ÇÒ ¼ö ÀÖ´Ù.
±×¸² 1). InSb 512¡¿512 Array (Raytheon»çÀÇ ALADDIN III Quadrant). Çѱ¹Ãµ¹®¿¬±¸¿ø ¼Ò¹é»êõ¹®´ë ±ÙÀû¿Ü¼± Ä«¸Þ¶ó KASINICS¿¡ ÀåÂøÇÒ °èȹÀÌ´Ù.
Ç¥ 1¿¡¼ º¸¿©ÁÖµíÀÌ ±¤ÇÐ °ËÃâ±â·Î °¡Àå ¸¹ÀÌ ¾²ÀÌ´Â ½Ç¸®ÄÜÀº 1.1 ¥ìm º¸´Ù ªÀº ÆÄÀå´ëÀÇ °üÃøÀ» ÇÒ ¼ö ÀÖ´Ù. ¿©±â¼ ÁÖÀÇÇÒ Á¡Àº Ç¥ÁØ Ãø±¤ ¹êµå UBVRI¿¡¼ 0.9 ¥ìm ÆÄÀå´ë¸¦ °üÃøÇÏ´Â I-¹êµå´Â Àΰ£ÀÇ ´«À¸·Î °¨ÁöÇÒ ¼ö ¾ø´Â Àû¿Ü¼±(Infrared)À» ÀǹÌÇÏÁö¸¸, ÀÌ ÆÄÀå´ëÀÇ ±¤ÀÚ´Â ½Ç¸®ÄÜ CCDµµ ½±°Ô °üÃøÇÒ ¼ö ÀÖ´Ù. Áï I-¹êµåÀÇ °üÃøÀº ±¤ÇÐ °üÃø±â±â·Î °¡´ÉÇÏ°í, Àû¿Ü¼± °üÃø±â±âÀÇ ¹üÀ§¿¡´Â Æ÷ÇÔµÇÁö ¾Ê´Â´Ù. ÀϹÝÀû ÀǹÌÀÇ Àû¿Ü¼± °üÃø±â±â´Â ½Ç¸®ÄÜÀÇ ¹ÝÀÀÇÑ°è 1.1 ¥ìm º¸´Ù ±ä ÆÄÀå´ëÀÇ °üÃøÀ» ¸ñÀûÀ¸·Î ÇÑ´Ù.
±×¸² 2) Stressed Ge:Ga »ç¿ë ¿¹ (AKARI FIS¿¡ ÀåÂøÇÑ °ËÃâ±âÀÇ ½ÃÇè ¸ðµ¨). Ge:Ga °ËÃâ±â´Â ÀÛÀº â ¼Ó¿¡ ÀÖ°í ¾Æ·¡-À§¿¡¼ ÈûÀ» ¹Þ°í ÀÖ´Ù.
±×¸² 3). ºÒ¼ø¹°(impurity)¸¦ ÷°¡ÇÑ ¿ÜÀμº¹ÝµµÃ¼ (extrinsic semiconductor)ÀÇ °áÁ¤±¸Á¶.
¿øÀû¿Ü¼± ÆÄÀå´ëÀÎ 30-300 ¥ìm´Â õ¹®ÇÐ ÀÌ¿ÜÀÇ ºÐ¾ß¿¡¼´Â °ÅÀÇ »ç¿ëÇÏÁö ¾Ê¾Æ¼ ÀÌ ÆÄÀå´ëÀÇ °üÃøÀ» À§Çؼ´Â õ¹®ÇÐÀÚ µéÀÌ ¾ÆÁ÷µµ Á÷Á¢ °ËÃâ±â¸¦ °³¹ßÇÏ°í ÀÖ´Ù. °¡Àå ¸¹ÀÌ »ç¿ëµÇ´Â ¹°ÁúÀº Ge:Ga (°¥·ýÀ» ÷°¡ÇÑ °Ô¸£¸¶´½)ÀÌ°í 120 ¥ìm±îÁö ¹ÝÀÀÇÑ´Ù. ´õ ±ä ÆÄÀåÀ» °üÃøÇϱâÀ§Çؼ´Â ¹ÝµµÃ¼ ¿ÜºÎ¿¡¼ ¹°¸®ÀûÀÎ Èû (stress)À» °¡Çؼ ¹êµå°¸ ¿¡³ÊÁö¸¦ ´õ¿í ÀÛ°Ô ÇÒ ¼ö ÀÖ´Ù. ¿ìÁÖ Àû¿Ü¼± ¸Á¿ø°æ¿¡ »ç¿ëÇÏ´Â Stressed Ge:Ga´Â 200 ¥ìm±îÁö °üÃøÇÒ ¼ö ÀÖ´Ù (±×¸² 3 ÂüÁ¶).
¿øÀû¿Ü¼± °üÃø¿¡¼´Â À§¿¡¼ ¼³¸íÇÑ ¹ÝµµÃ¼ °ËÃâ±â ÀÌ¿Ü¿¡ º¼·Î¹ÌÅÍ(bolometer)¸¦ »ç¿ëÇϱ⵵ ÇÑ´Ù. º¼·Î¹ÌÅÍ°¡ ±¤ÀÚ¸¦ Èí¼öÇÏ¸é ±× ¿¡³ÊÁö´Â ¿·Î º¯È¯µÇ´Âµ¥, ÀÌ ¿¿¡ ÀÇÇØ º¯ÇÏ´Â ÀúÇ×ÀÇ Â÷À̸¦ ÃøÁ¤Çϸé ÀÔ»çÇÑ ºûÀÇ ¼¼±â¸¦ ±¸ÇÒ ¼ö ÀÖ´Ù. º¼·Î¹ÌÅÍÀÇ ¾çÀÚÈ¿À²Àº 90-100%ÀÌ°í ¶ÇÇÑ ±¤ÀÚÀÇ ÆÄÀå¿¡ °ü°è¾øÀÌ ¹ÝÀÀÇϹǷΠȿÀ²ÀÌ ³ô´Ù. ±×·¯³ª Çȼ¿ÀÇ ¼ö°¡ ¸¹Àº ¹è¿ ±¸Á¶ (array)¸¦ ¸¸µé±â°¡ ¾î·Æ°í º¼·Î¹ÌÅÍÀÇ ¿Âµµ¸¦ 1K ÀÌÇÏ·Î ³Ã°¢ÇØ¾ß ÇϹǷΠ¿ìÁÖ¸Á¿ø°æ žÀçü·Î Á¦ÀÛÇϴµ¥ ¾î·Á¿òÀÌ ÀÖ´Ù.
Àû¿Ü¼± ±¤±â°è
Àû¿Ü¼± °üÃø±â±â´Â ÀüÆĺ¸´Ù ªÀº ÀüÀÚ±âÆÄÀÇ ±¤ÀÚ ¼ö¸¦ ÃøÁ¤ÇÏ´Â ¿ø¸®À̹ǷΠ±¤ÇÐ °üÃø±â±â¿¡¼ »ç¿ëÇÏ´Â ±¤ÇÐ°è ¼³°è ÀÌ·ÐÀ» »ç¿ëÇÒ ¼ö ÀÖ´Ù. Áï ±âÇϱ¤ÇÐ ¿ø¸®¸¦ Àû¿ëÇÏ¿© Ä«¸Þ¶ó¸¦ ¼³°èÇÏ°í, ºûÀÇ È¸Àý(diffraction)°ú °£¼·(interference) Çö»óÀ» ÀÌ¿ëÇÏ¿© ºÐ±¤±â¸¦ Á¦ÀÛÇÒ ¼ö ÀÖ´Ù. ±×·±µ¥ Àû¿Ü¼±¿¡¼´Â ¿Âµµ¸¦ °¡Áø ¸ðµç ¹°Ã¼°¡ º¹»ç¿¡³ÊÁö¸¦ ¹æÃâÇÑ´Ù. µû¶ó¼ Àû¿Ü¼± °üÃø±â±â¿¡¼´Â ¿º¹»ç¸¦ ÁÙÀ̱â À§ÇÑ ³Ã°¢ ¹× ¿º¹»ç Â÷´Ü ÀåÄ¡°¡ ÇÊ¿äÇÏ´Ù.
±¤ÇÐ(°¡½Ã±¤¼±) °üÃø±â±â¿¡¼µµ ±¤ÀÚ¸¦ °¨ÁöÇÏ´Â °ËÃâ±â´Â ÀÚü ¿Âµµ¿¡ ÀÇÇÑ µé¶ä (thermal exciation)À» ÃÖ¼ÒÈ ÇϱâÀ§ÇØ °ËÃâ±âÀÇ ³Ã°¢ÀÌ ÇʼöÀûÀÌ°í ÀüÆÄ °üÃø¿¡¼µµ SIS ¹Í¼¸¦ ÃÊÀú¿Â ³Ã°¢ÇØ¾ß ÇÏÁö¸¸, Àû¿Ü¼±¿¡¼´Â Àüü ±¤±â°è ½Ã½ºÅÛÀ» ³Ã°¢ÇØ¾ß Çϱ⠶§¹®¿¡ ´ëÇüÀÇ ³Ã°¢ ÀåÄ¡¸¦ ¼³°èÇØ¾ß ÇÑ´Ù. ƯÈ÷ ·»Áî, ¹Ý»ç°æ, ±Ý¼Ó ±¸Á¶¹° µîÀº ¿ÆØâ·üÀÌ ¼·Î ´Ù¸£±â ¶§¹®¿¡ ³Ã°¢¿¡¼µµ ±â°èÀû ¾ÈÁ¤¼º°ú ±¤ÇÐÀû Á¤¹Ð¼ºÀ»
±×¸² 4) Çѱ¹Ãµ¹®¿¬±¸¿ø ¼Ò¹é»ê õ¹®´ëÀÇ ±ÙÀû¿Ü¼± Ä«¸Þ¶ó KASINICS °³³äµµ. Áø°ø »óÀÚ ³»ºÎ¿¡ ±¤Çа谡 ¼³Ä¡µÇ¾î ÀÖ´Ù. ¿À¸¥ÂÊÀÇ ±×¸²Àº ±¤ÇиÁ¿ø°æ ±¸Á¶¹°ÀÇ ¿º¹»ç¸¦ Â÷´ÜÇϱâÀ§ÇÑ ¿ÀÇÁ³Ê ½Ã½ºÅÛÀ» º¸¿©ÁØ´Ù.
±×¸² 5) ÀϺ»ÀÇ Àû¿Ü¼± õ¹®À§¼º AKARI¿¡ žÀçÇÒ ¸Á¿ø°æ. Àüü ¸Á¿ø°æ ±¤Çаè´Â 6K ±îÁö ³Ã°¢µÈ´Ù. (ÀÚ·áÁ¦°ø JAXA)
Àû¿Ü¼± °üÃø±â±âÀÇ Á¾·ù
õü¸¦ °üÃøÇϱâÀ§ÇÑ Àû¿Ü¼± °üÃø±â±â´Â Å©°Ô Áö»ó ¸Á¿ø°æ ÀåÂø¿ë°ú ¿ìÁÖ ¸Á¿ø°æ žÀç¿ëÀ¸·Î ³ª´ ¼ö ÀÖ´Ù. ¿ìÁÖ´Â Áø°ø »óÅÂ¶ó¼ ¸Á¿ø°æ ÀÚüµµ ³Ã°¢ÇÒ ¼ö ÀÖÁö¸¸ (±×¸² 5 ÂüÁ¶) ÀΰøÀ§¼ºÀÇ ¹«°Ô¿Í Àü·Â¿¡ Á¦ÇÑÀÌ ÀÖ¾î¼ ³Ã°¢±âÀÇ ¼±ÅÃÀÌ Á¦ÇѵȴÙ. ¶ÇÇÑ À§¼ºÀ» ¹ß»çÇÒ ¶§ÀÇ Áøµ¿°ú Ãæ°ÝÀ» °ßµð±â À§ÇÑ ±¤±â°èºÎ Á¦ÀÛÀÌ ÇÊ¿äÇÏ´Ù.
±ÙÀû¿Ü¼± ÆÄÀå´ë¿¡¼´Â Áö±¸ ´ë±â°¡ ºñ±³Àû Åõ¸íÇϹǷΠÁÖ·Î Áö»ó¿¡¼ °üÃøÀ» ÇÑ´Ù. J(1.3 ¥ìm), H(1.6
±×¸² 6). Àû¿Ü¼± Àü¿ë ¸Á¿ø°æÀÇ ºÎ°æ ¸ð½À (¹Ì±¹ ÇÏ¿ÍÀÌ ¸¶¿ì³ªÄÉ¾Æ Á¤»óÀÇ Gemini õ¹®´ë).
Áö»ó¿¡¼ ÁßÀû¿Ü¼±À» °üÃøÇϱâÀ§Çؼ´Â Àü¿ë Àû¿Ü¼± ¸Á¿ø°æÀÌ ÇÊ¿äÇÏ´Ù. Àû¿Ü¼± ¸Á¿ø°æÀº °¡¿îµ¥°¡ ¸·ÇôÀÖ´Â ÀÛÀº ºÎ°æÀÌ ÁÖ°æ ÀÌ¿Ü¿¡¼ ¿À´Â ºûÀ» Â÷´ÜÇÑ´Ù. ±×¸®°í ÀÌ ºÎ°æÀº ºü¸£°Ô ¿òÁ÷À̸é¼(chopping) ¹è°æÀÇ ¿º¹»ç ¿¡³ÊÁö¸¦ Á¦°Å ÇÑ´Ù (±×¸² 6 ÂüÁ¶).
±×¸² 7). AKARIÀÇ ¿øÀû¿Ü¼± °üÃø±â±â (FIS)¿Í ±Ù?ÁßÀû¿Ü¼± °üÃø±â±â (IRC)ÀÇ ºñÇà ¸ðµ¨. (ÀÚ·áÁ¦°ø: JAXA)
Âü°í¹®Çå
McLean, I. S. 1997, "Electronic Imaging in Astronomy" (John Wiley & Sons Ltd, West Sussex)
Rieke, G. H. 1994, "Detection of Light: From the Ultraviolet to the Submillimeter" (Cambridge University Press, Cambridge)
Tokunaga, A. T. 2000, in "Allen's Astrophysical Quantities, 4th Edition", edited by A. N. Cox (Springer-Verlag, New York), p. 143
À°Àμö, À̼ºÈ£, ÁøÈ£ ¿Ü 10¸í, õ¹®ÇгíÃÑ, 20, 143-149